I + D    Almacenamiento

Esta memoria nanométrica necesita menos energía para almacenar lo mismo que sus hermanas mayores

Una startup suiza desarrolla memorias RAM de apenas 180 nm. Consiguen, en tan poco espacio, integrar una docena de circuitos con una capacidad de memoria integrada de hasta 1 Mb

02 SEP. 2020
3 minutos
Andreas Burg y Robert Giterman del EPFL.
Andreas Burg y Robert Giterman del EPFL. / Alain Herzog

Desde ordenadores y teléfonos inteligentes hasta dispositivos de Internet de cosas y redes de telecomunicaciones completas. Todos necesitan contar con memorias integradas donde almacenar ingentes cantidades de datos. La inteligencia artificial o el aprendizaje automático, el 5G, el Internet de las cosas (IoT) y los sectores industriales, el de automoción o el logístico requieren cantidades cada vez mayores de memoria. De ahí que los fabricantes busquen la mejor manera de reducir la cantidad de espacio que ocupa la memoria integrada para conseguir dispositivos más pequeños, más baratos y más potentes.

Ahora un equipo de investigadores de la Escuela Politécnica de Lausanne (EPFL) y la Universidad de Bar Ilan (BIU) de Israel, han desarrollado un nuevo tipo de memoria integrada con el 50% menos de silicio que el empleado habitualmente.

Se trata de un dispositivo que ocupa la mitad de espacio que la memoria tradicional, y necesita menos energía para almacenar la misma cantidad de datos. Ya cuentan con siete patentes por su trabajo y están en proceso de crear una startup (RAAAM) para comercializar el producto.

El secreto: emplear menos transistores

El sistema desarrollado por los investigadores de EPFL y BIU organiza los transistores de una manera diferente que utiliza accesos directos para ahorrar una cantidad considerable de espacio y energía. Su memoria, llamada GC-eDRAM, necesita solo dos o tres transistores, en comparación con los seis u ocho que emplea una convencional.

De esta forma, consiguen liberar espacio en los chips para agregar más memoria o hacerlos más pequeños para que haya más espacio para otros componentes. Menos espacio y también menos cantidad de energía necesaria para procesar los datos.

El equipo ya ha probado el nuevo dispositivo con fabricantes de semiconductores. Su GC-Edram se ha desarrollado en chips de entre 16 nm y 180 nm que contienen alrededor de una docena de circuitos con una capacidad de memoria de hasta 1 Mb.

"Los fabricantes pueden reemplazar la memoria existente en sus chips por la nuestra, sin tener que cambiar nada más", dice Andreas Burg, profesor del Laboratorio de Circuitos de Telecomunicaciones de EPFL.

El nuevo producto es totalmente compatible con los procesos estándar de fabricación de chips.